En el MOSFET de tipo decremental  de canal n, se establece en un sustrato p, que es silicio contaminado de tipo p. que es la base en que se construye el dispositivo. En algunos casos la Terminal de fuente y el sustrato vienen conectadas internamente, la Terminal de compuerta está aislada del canal n mediante una capa muy delgada de dioxido de silicio (SiO2) que hace las veces de dieléctrico, esto explica la alta impedancia del dispositivo. El Terminal de compuerta puede tener valores de V positivos y a medida que se disminuyen y se vuelven negativos producen una disminución en la corriente de drenaje del dispositivo.